瑞和半导体有限公司

标签：氮化镓衬底材质优缺点对比

• 氮化镓衬底：揭秘其优缺点，助力高效能半导体设计
  氮化镓（GaN）衬底作为新型半导体材料，近年来在功率电子、射频通信等领域展现出巨大的应用潜力。相较于传统的硅衬底，氮化镓衬底具有更高的击穿电场、更低的导热系数和更宽的禁带宽度，使其在提高器件性能和降低...
  2026-06-13